IGBT

traži dalje ...

IGBT (akr. od engl. Insulated Gate Bipolar Transistor, također COMFET, Conductivity Modulated FET i GEMFET, Gain Enhanced FET), tranzistor s izoliranom upravljačkom elektrodom. Poluvodički je ventil koji može voditi el. struju u jednom smjeru, držati napon jednoga (asimetrični IGBT) ili obaju polariteta (simetrični IGBT), te uklapati i isklapati el. struju. Zasniva se na strukturi → MOSFET-a. Ujedinjuje dobra svojstva MOSFET-a (mali sklopni gubitci, mali gubitci upravljanja) i bipolarnoga tranzistora (mali pad napona u stanju vođenja). Ima tri elektrode: uvod D, odvod S i upravljačku elektrodu G. Vodi struju od D prema S. Praktički uklapa i isklapa naponskim impulsom. Primjenjuje se u elektroničkim učinskim pretvaračima, posebice u pretvaračima za regulaciju brzine vrtnje izmjeničnih motora. → pretvarač, elektronički učinski

članak preuzet iz tiskanog izdanja 2007.

Citiranje:

IGBT. Tehnički leksikon (2007), mrežno izdanje. Leksikografski zavod Miroslav Krleža, 2024. Pristupljeno 18.4.2024. <https://tehnicki.lzmk.hr/clanak/2531>.