epitaksija

traži dalje ...

epitaksija, epitaksijalni rast (engl. epitaxy, epitaxial growth; njem. Epitaxie, Epitaxialwachstum; rus. эпитаксия, эпитаксиальное выращивание), rast sloja kristala na podlozi, kristalne građe jednake podlozi. Primjenjuje se za rast kristala silicija pri proizvodnji elektroničkih komponenata (dioda, tranzistora i dr.). Provodi se u epitaksijalnom reaktoru na temperaturama 1000…1250 °C.

članak preuzet iz tiskanog izdanja 2007.

Citiranje:

epitaksija. Tehnički leksikon (2007), mrežno izdanje. Leksikografski zavod Miroslav Krleža, 2025. Pristupljeno 24.1.2025. <https://tehnicki.lzmk.hr/clanak/epitaksija>.