HEMT

HEMT (akr. od engl. High Electron Mobility Tranzistor: tranzistor s velikom pokretljivošću elektrona), posebna izvedba tranzistora s učinkom polja. Kanal je na granici → heterospoja oblikovan od nedotirana galijeva arsenida (GaAs) i aluminijeva galijeva arsenida (AlGaAs). Na krajevima kanala oblikuje se N+-uvod i odvod, a iznad kanala metalna upravljačka elektroda, naponom koje se mijenja vodljivost kanala. Elektroni u kanalu ponašaju se kao dvodimenzijski elektronski plin. Zbog izostanka primjesa, elektroni u kanalu vrlo su pokretni, pa je to najbrži tranzistor koji radi na frekvencijama višim od 200 GHz. Strujno-naponske karakteristike slične su karakteristikama → MESFETa. Upotrebljava se u mikrovalnim komunikacijskim i radioastronomskim uređajima, te u radarima. → tranzistor, unipolarni