ionska implantacija

ionska implantacija (engl. ion implantation; njem. Ionenimplantation; rus. ионная имплантация), ugrađivanje primjesnih atoma u poluvodič bombardiranjem primjesnim ionima. U proizvodnji poluvodičkih el. komponenata primjenjuje se za niskotemperaturno dotiranje i time mijenjanje el. svojstava poluvodiča. Ioni, ubrzani el. poljem do energije 3...500 keV, ulaze u poluvodič do neke dubine. Domet implantiranih iona, te rasipanje dometa i njihove raspodjele ovise o vrsti i energiji iona, te o vrsti poluvodiča i njegovoj kristalnoj orijentaciji (→ monokristal). Količina unesenih primjesa određuje se jakošću struje snopa. Pri sudaru implantiranih iona s poluvodičkom podlogom oštećuje se kristalna rešetka. Zbog toga se nakon implantacije primjenjuje → napuštanje materijala, zagrijavanjem podloge na temperaturu 600…800 °C.