jetkanje

jetkanje (engl. etching; njem. Ätzen, Unterätzung; rus. подтравливание), odstranjivanje dijelova slojeva silicija, polisilicija, dielektrika i kovina određena geometrijskoga oblika. Sastavni je dio fotolitografskoga postupka (→ fotolitografija). Prije jetkanja se površina koja treba ostati netaknuta prekriva fotootpornim materijalom (→ maskiranje). Tako jetkalo nagriza samo onaj dio površine koji se želi ukloniti. Za vlažno jetkanje upotrebljavaju se otopine kiselina, najčešće hidrofluorne, HF (za polisilicij, silicijev dioksid), hidroklorne, HCl (za aluminij, zlato), nitridne, HNO₃ (za silicij, polisilicij), fosfatne, H₃PO₄ (za silicijev nitrid) i octene, CH₃COOH (za kovine). Za jetkanje silicija upotrebljavaju se i hidroksidi (npr. potaša, KOH). Pri suhom jetkanju pločica s koje treba ukloniti određene dijelove površine stavlja se u zagrijanu (200…1000 °C) vakuumsku komoru na negativan napon. U komoru se dovodi pozitivno nabijena plazma (od argona i plinova na bazi floura, klora, broma, vodika, dušika), čestice plazme velikom brzinom udaraju okomito o površinu pločice, te uklanjaju željeni sloj. Suhim se jetkanjem dobiju točniji geometrijski oblici nego vlažnim jetkanjem.