MESFET

MESFET (akr. od engl. Metal‑Semiconductor FET: metalno-poluvodički FET), unipolarni tranzistor zasnovan na spoju kovine i poluvodiča. Sličan je spojnomu FET-u (→ tranzistor, spojni unipolarni). Podloga je najčešće od slabo dotirana galijeva arsenida, ali se upotrebljava i indijev fosfid ili silicijev karbid. Na podlogu se nanosi N-sloj poluvodiča, kojemu se na krajevima izvode spojevi uvoda i odvoda. Između spojeva na N-sloju oblikuje se kovinska upravljačka elektroda. Naponom U_GS < 0 zaporno se polarizira spoj kovina-poluvodič i oblikuje osiromašeni sloj u poluvodiču (→ sloj, osimromašeni). Promjenom napona mijenja se širina osiromašenoga sloja, tj. vodljivost kanala, a time i struja kroz kanal. MESFET je znatno brži od spojnoga FET-a, pa radi na frekvencijama do 30 GHz. Primjenjuje se u mikrovalnim komunikacijskim uređajima, radarima, te u GaAs-digitalnim integriranim sklopovima. → tranzistor, unipolarni