MOS-struktura

MOS-struktura, MOS-građa (engl. MOS-structure; njem. MOS-Struktur; rus. МОП-структура; krat. od engl. Metal-Oxide-Semiconductor Strukture: struktura kovina-oksid-poluvodič), građa u kojoj se između poluvodiča i kovine ili polisilicija nalazi oksidni sloj. Ako je napon između kovinske elektrode i poluvodiča pozitivan, ispod oksidnoga sloja nakupljaju se elektroni, a ako je negativan, šupljine. Ako su to manjinski nosioci, stvara se inverzijski sloj, koji je u P-poluvodiču inverzijski sloj N-tipa, a u N-poluvodiču P-tipa. Ako je poluvodič silicij, a oksidni sloj silicijev dioksid, na granici između njih postoji pozitivan površinski naboj +Q_SS, koji privlači prema površini elektrone, a odbija u unutrašnjost šupljine. Ako je silicij P-tipa slabo dotiran, naboj +Q_SS (bez vanjskoga napona) ispod oksidnoga sloja stvara inverzijski sloj N-tipa, a ako je N-tipa stvara tzv. obogaćeni sloj (sloj s većom koncentracijom elektrona nego u unutrašnjosti). MOS-struktura bitan je dio → MOSFET-a, te kondenzatora u integriranim sklopovima. → polikristal