PNPN-struktura

PNPN-struktura, tiristorska struktura (engl. PNPN structure; njem. PNPN-Struktur; rus. ПНПН-структура), četveroslojna struktura P⁺-N_s-P-N⁺ unutar monokristala silicija. Krajnji su slojevi P⁺ i N⁺ najjače dotirani, a srednji je sloj N_s najslabije dotiran. Ako je P⁺-sloj na višem potencijalu od N⁺-sloja, struktura može provesti struju kratkotrajnom (nekoliko desetaka mikrosekunda) propusnom polarizacijom prijelaza P-N⁺ ili P⁺-N_s. Struju prestaje voditi ili vanjskim smanjenjem struje do nule ili kratkotrajnom zapornom polarizacijom prijelaza P-N⁺ ili P⁺-N_s. Ako je P⁺-sloj na nižem potencijalu od N⁺-sloja, struktura ne može voditi el. struju ni pod kojim uvjetima. Na njoj i na propusnoj polarizaciji prijelaza P-N⁺ zasnivaju se klasični → tiristor, → trijak i inverzno vodljivi tiristor, na propusnoj ili zapornoj polarizaciji prijelaza P-N⁺ upravljačkom elektrodomisklopivi tiristor, dok se na propusnoj polarizaciji prijelaza P⁺-N_s zasniva samo → PUT.