Schottkyjeva dioda

Schottkyjeva dioda (engl. Schottky diode; njem. Schottky-Diode; rus. диод Шотmки), dioda zasnovana na ispravljačkom spoju kovina-poluvodič. Ovisno o radu izlaza iz kovine i poluvodiča te o koncentraciji primjesa u poluvodiču, spoj kovina-poluvodič može biti ili ispravljački ili otporni (tzv. omski). U ispravljačkom spoju u poluvodiču uz granicu s kovinom nastaje osiromašeni sloj s potencijalnom barijerom za većinske nosioce poluvodiča (→ sloj, osiromašeni). Zbog toga je naponsko-strujna karakteristika slična karakteristici PN-spoja. Napon koljena (→ dioda, poluvodička) Schottkyjeve diode ovisi o upotrijebljenoj kovini i poluvodiču. Za silicijske diode taj je napon ~ 0,3 V, a niži je od napona koljena PN-diode. Struja zaporno polarizirane Schottkyjeve diode veća je od struje PN-diode, a lagano raste s naponom zaporne polarizacije zbog → Schottkyjeva učinka. Rad Schottkyjeve diode zasniva se isključivo na većinskim nosiocima. Zbog izostanka rekombinacije s manjinskim nosiocima u sklopnom načinu rada, Schottkyjeva dioda znatno je brža od PN‑diode. Primjenjuje se kao → detektor, ili → miješalo frekvencije na frekvencijama do 5 GHz, te u visokofrekvencijskim učinskim pretvaračima na frekvencijama do 0,5 MHz. Nazvana po W. H. Schottkyju.