SOI-struktura

SOI-struktura (prema engl. silicon on insulator: silicij na izolatoru), sloj silicija na izolatoru kao gradbena sastavnica integriranih sklopova. Podloga na kojoj se izrađuju sastavnice integriranoga sklopa je ili silicij s površinskim slojem silicijeva dioksida (SiO₂/Si) ili safir (→ SOS-struktura), na koju se nanosi tanak sloj silicija (0,5…100 μm). Tako npr. → MOSFET izveden na SOI-strukturi ima manje parazitne kapacitete nego izrađen na monokristalu silicija. Time se povećava brzina rada MOSFETA-a i smanjuju sklopni gubitci. SOI-struktura na podlozi od silicija i silicijeva dioksida osnova je za izradbu brzih integriranih sklopova male snage (→ CMOS).