VMOS

VMOS, vrsta tranzistora, MOSFET snage izveden primjenom V-žlijeba u strukturi MOS. U slabo dotirani N⁻-epitaksijalni sloj na N⁺-podlozi difundiraju se P-slojevi i N⁺-slojevi, kroz koje se nagriza → V-žlijeb. Stranice žlijeba oksidiraju i tvore oksidni sloj → MOS-strukture. Uvod je N⁺-područje na površini, kanal je u P-području, a N⁻-sloj i N⁺-podloga su područja odvoda. Metalizacijom oksida iznad V-žlijeba ostvaruje se spoj upravljačke elektrode g. Niskom koncentracijom primjesa i velikom širinom N⁻-sloja osigurava se velik probojni napon. Duljina kanala određena je razlikom dubina P-područja i N⁺-područja. Gledajući odozgo, V-žlijeb je kvadratan i primjenom jednoga žlijeba (osnovna VMOS-ćelija) ostvaruje se paralelno spajanje četiriju elementarnih ćelija. Veća se struja postiže paralelnim spajanjem većega broja osnovnih ćelija. → epitaksija, → MOSFET